Dioda SiC ya DPAK (TO-252AA) ya Germiya Bilind

Rêwîtiya Germiya Bilind DPAK (TO-252AA) SiC Diode Wêne Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Struktura pakkirinê: DPAK (TO-252AA)

Destpêk: YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC Diod, ku ji materyalên karbîd silicon hatî çêkirin, xwedan guheztina germî ya bilind û şiyana bihêz a veguheztina germê ye, ji bo baştirkirina dendika hêzê ya cîhaza hêzê bêtir guncan e, ji ber vê yekê ew ji bo guncantir e. di hawîrdora germahiya bilind de dixebitin. Hêza zeviya hilweşîna bilind a dîodên SiC voltaja berxwedanê zêde dike û mezinahiyê kêm dike, û hêza qada têkçûna elektronîkî ya bilind voltaja têkçûnê ya amûrên hêza nîvconductor zêde dike. Di heman demê de, ji ber zêdebûna hêza zeviya hilweşîna elektronîkî, di rewşa zêdekirina dendika ketina nepakiyê de, berferehiya devera dravê ya cîhaza hêza dioda SiC dikare were kêm kirin, da ku mezinahiya cîhaza hêzê. dikare were kêm kirin.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Çavdêriya dema bersivê

Rêjeya pîvandinê

Tags Product

Taybetmendiyên YUNYI's DPAK (TO-252AA) SiC Diode:

1. Mesrefa pêşbaziyê bi kalîteya bilind-asta

2. Karbidestiya hilberîna bilind bi dema rêberiya kurt

3. Pîvana piçûk, arîkariya xweşbînkirina cîhê panelê dike

4. Di bin hawîrdorên cûrbecûr yên xwezayî de stabîl û pêbawer

5. Çîpa kêm-windabûna xwe-pêşxistin

Rêbazên Hilberîna Chip:

1. Çapkirina mekanîkî (Çapkirina waferê ya otomatîkî ya pir rast)

2. Xweseriya Pêşîn a Xweser (Amûrên Xweseriya Xweserî), CPK> 1.67)

3. Testa Polarîteyê ya Xweser (Testa Polarîteyê ya Rast)

4. Civîna Otomatîk (Meclîsa Xweseriya Xweser a Xwepêşandî)

5. Ziravkirin (Parastina bi Tevlihevkirina Nîtrojen û Hîdrojenê valahiya şûştinê)

6. Xweseriya Duyemîn a Otomatîk (Xweşandina Duyemîn ya Xweser bi Ava Ultra-paqij)

7. Zencîrkirina Otomatîk (Gulkirina Yekgirtî û Hesabkirina Rast ji hêla Amûrên Gluingê yên Xweser ên Xweser ve têne Rast kirin)

8. Testa Germê ya Xweser (Hilbijartina Xweser ji hêla Testera Termal ve)

9. Testa Xweser (Testêra Pirfunctional)

Parametreyên hilberê:

Hejmara Part	Pakêt	VRWM V	IO A	IFZM A	IR ma	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3 (0.03 tîpîk)	1.7 (1.5 tîpîk)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2 (0.03 tîpîk)	1.7 (1.4 tîpîk)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40 (0.7 tîpîk)	1.7 (1.45 tîpîk)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200 (20 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200 (20 tîpîk)	1.8 (1.65 tîpîk)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50 (10 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200 (30 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200 (35 tîpîk)	1.8 (1.6 tîpîk)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (per ling)	8 (0.002 tîpîk) (per ling)	1.7 (1.5 tîpîk) (per ling)