Bandor û Dûrbûna Mezin 3L TO-220AB SiC Diode

Berbiçav û domdariya Mezin 3L TO-220AB SiC Diode Wêne Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Struktura pakkirinê: 3L TO-220AB

Destpêk: YUNYI 3L TO-220AB SiC Diode ji materyalên karbîdê silicon ve hatî çêkirin. Diodên SiC xwedan guheztina germî ya bilind e, ku dikare bi bandor dendika hêzê baştir bike. Her ku gihandina germahiyê bilindtir be, şiyana materyalê ji bo veguheztina germê li hawîrdorê ew qas bihêztir dibe, bilindbûna germahiya cîhazê ew qas piçûktir dibe, ji bo baştirkirina dendika hêzê ya cîhaza hêzê ew qas guncantir e, ji ber vê yekê ew ji bo xebitandinê guncantir e. jîngeha germahiya bilind. Hêza zeviya hilweşîna bilind a dîodên SiC voltaja berxwedanê zêde dike û mezinahiyê kêm dike, û hêza qada têkçûna elektronîkî ya bilind voltaja têkçûnê ya amûrên hêza nîvconductor zêde dike. Di heman demê de, ji ber zêdebûna hêza zeviya hilweşîna elektronîkî, di rewşa zêdekirina dendika ketina nepakiyê de, berferehiya devera dravê ya cîhaza hêza dioda SiC dikare were kêm kirin, da ku mezinahiya cîhaza hêzê. dikare were kêm kirin.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Çavdêriya dema bersivê

Rêjeya pîvandinê

Tags Product

Avantajên YUNYI's 3L TO-220AB SiC Diode:

1. Mesrefa pêşbaziyê bi kalîteya bilind-asta

2. Karbidestiya hilberîna bilind bi dema rêberiya kurt

3. Pîvana piçûk, arîkariya xweşbînkirina cîhê panelê dike

4. Di bin hawîrdorên cûrbecûr yên xwezayî de ragirt

5. Çîpa kêm-windabûna xwe-pêşxistin

Gavên Hilberîna Chip:

1. Çapkirina mekanîkî (Çapkirina waferê ya otomatîkî ya pir rast)

2. Xweseriya Pêşîn a Xweser (Amûrên Xweseriya Xweserî), CPK> 1.67)

3. Testa Polarîteyê ya Xweser (Testa Polarîteyê ya Rast)

4. Civîna Otomatîk (Meclîsa Xweseriya Xweser a Xwepêşandî)

5. Ziravkirin (Parastina bi Tevlihevkirina Nîtrojen û Hîdrojenê valahiya şûştinê)

6. Xweseriya Duyemîn a Otomatîk (Xweşandina Duyemîn ya Xweser bi Ava Ultra-paqij)

7. Zencîrkirina Otomatîk (Gulkirina Yekgirtî û Hesabkirina Rast ji hêla Amûrên Gluingê yên Xweser ên Xweser ve têne Rast kirin)

8. Testa Germê ya Xweser (Hilbijartina Xweser ji hêla Testera Termal ve)

9. Testa Xweser (Testêra Pirfunctional)

Parametreyên hilberê:

Hejmara Part	Pakêt	VRWM V	IO A	IFZM A	IR ma	V_F V
ZICRF10650CT	ITO-220AB	650	10	60	60	1.7
ZICRF5650	ITO-220AC	650	5	60	60	2
ZICRF6650	ITO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065F	ITO-220AC	650	6	70	3 (0.03 tîpîk)	1.7 (1.5 tîpîk)
ZICRF10650	ITO-220AC	650	10	100	120	1.7
ZICRF101200	ITO-220AC	1200	10	110	100	1.8
ZICRF12600	ITO-220AC	600	12	50	150	1.7
ZICRF12650	ITO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065F	ITO-220AC	650	3	46	2 (0.03 tîpîk)	1.7 (1.4 tîpîk)
Z3D10065F	ITO-220AC	650	10	115	40 (0.7 tîpîk)	1.7 (1.45 tîpîk)
Z4D10120F	ITO-220AC	1200	10	105	200 (30 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
ZICR10650CT	TO-220AB	650	10	60	60	1.7
Z3D20065C	TO-220AB	650	20	115 (per ling)	40 (0,7 tîpîk) (per ling)	1.7 (1.45 tîpîk) (per ling)
ZICR5650	TO-220AC	650	5	60	60	2
ZICR6650	TO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065A	TO-220AC	650	6	70	3 (0.03 tîpîk)	1.7 (1.5 tîpîk)
Z3D10065A	TO-220AC	650	10	115	40 (0.7 tîpîk)	1.7 (1.45 tîpîk)
ZICR10650	TO-220AC	650	10	110	100	1.7
Z3D20065A	TO-220AC	650	20	170	50 (1.5 tîpîk)	1.7 (1.45 tîpîk)
ZICR101200	TO-220AC	1200	10	110	100	1.8
ZICR12600	TO-220AC	600	12	50	150	1.7
ZICR12650	TO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065A	TO-220AC	650	3	46	2 (0.03 tîpîk)	1.7 (1.4 tîpîk)
Z4D04120A	TO-220AC	1200	4	46	200 (20 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
Z4D05120A	TO-220AC	1200	5	46	200 (20 tîpîk)	1.8 (1.65 tîpîk)
Z4D02120A	TO-220AC	1200	2	44	50 (10 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
Z4D10120A	TO-220AC	1200	10	105	200 (30 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
Z4D20120A	TO-220AC	1200	20	162	200 (35 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
Z4D08120A	TO-220AC	1200	8	64	200 (35 tîpîk)	1.8 (1.6 tîpîk)
Z4D15120A	TO-220AC	1200	15	100	200 (35 tîpîk)	1.8 (1.5 tîpîk)
Z3D15065A	TO-220AC	650	15	162	25 (0,5 tîpîk)	1.7 (1.5 tîpîk)
Z3D06065I	TO-220-ÎZolasyon	650	6	70	3 (0.03 tîpîk)	1.7 (1.5 tîpîk)
Z3D10065I	TO-220-ÎZolasyon	650	10	115	40 (0.7 tîpîk)	1.7 (1.45 tîpîk)